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產(chǎn)品中心

碳化硅研磨桶

    反應(yīng)燒結(jié)碳化硅產(chǎn)品主要技術(shù)參數(shù)

    Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products

     



    項(xiàng)目
    (item)

    單位
    (unit)

    指標(biāo)
    （Date）

    使用溫度
    （applicationtemperature）

    ℃

    1380

    密度
    （density）

    G/cm3

    ≥3.02

    氣孔率
    （open porosity）

    %

    ≤0.1

    抗彎強(qiáng)度
    (bending strength)

    Mpa

    250(20℃)

    Mpa

    280(1200℃)

    彈性模量
    （modul us of elasticity）

    Gpa

    330（20℃）

    Gpa

    300（1200℃）

    導(dǎo)熱系數(shù)
    （Thermal Conductivity）

    W/（M.K）

    45（1200℃）

    熱膨脹系數(shù) 
    (coefficient ofthermal expansion)

    K-1×10-6

    4.5

    莫氏硬度
    （rigidity）

     

    9

    耐酸堿性
    （acid&alkali resistance）

     

    優(yōu)






    無(wú)壓燒結(jié)碳化硅陶瓷技術(shù)參數(shù)

    Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics

    項(xiàng)目
    (item)

    單位
    (unit)

    SSIC

    使用溫度
    （applicationtemperature）

    ℃

    1600

    硬度Hv
    （Hardness Hv1）

    HRA

    ≥92

    抗壓強(qiáng)度
    (compressive strength)

    MPa

    ≥2600

    抗彎強(qiáng)度
    (bending strength)

    MPa

    ≥400

    碳化硅量
    (Sic Content)

    %

    ≥99

    彈性模量
    (modulus of elasticity)

    MPa

    410

    導(dǎo)熱系數(shù)
    （Thermal Conductivity）

    W/（M.K）

    100-120

    熱膨脹系數(shù) 
    (coefficient ofthermal expansion)

    i/℃

    4.0

    氣孔率
    (open porosity)

    %

    ＜0.1

    泊松比
    (Posisson’s Ration)

     

    0.16





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